WEP CVP21電化學C-V剖麵濃度測量儀

WEP CVP21電化學C-V剖麵濃度測量儀

德國WEP公司的CVP21電化學C-V剖麵濃度測試儀(yi) 可高效、準確的測量半導體(ti) 材料（結構，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與(yu) 材料接觸、腐蝕，從(cong) 而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控製。
電化學ECV剖麵濃度測試儀(yi) 主要用於(yu) 半導體(ti) 材料的研究及開發，其原理是使用電化學電容-電壓法來測量半導體(ti) 材料的摻雜濃度分布。電化學ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發展半導體(ti) 光-電化學濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。CVP21電化學C-V剖麵濃度測量儀(yi) 適用於(yu) 評估和控製在半導體(ti) 生產(chan) 中的外延過程並且以被使用在多種不同的材料上，例如：矽、鍺、III-V族化合物半導體(ti) (如GaN)。

CVP21的係統特點：

• 堅固可靠的模塊化係統結構，光學、電子和化學部分相對獨立；
• 的測量電路模塊；
• 強力的控製軟件，係統操作，使用簡便;
• 完善的售後服務體係;
• 提供免費樣品測試並提供測試報告。
• 保修期：2年，終身維修。
• 對用戶承諾*樣品測試，每月1次。

技術參數： 
CVP21電化學CV剖麵濃度分析儀(yi) 完美結合了WEP在電化學方分布測試方麵超過３０年的經驗和世界上的電路係統。全自動，特別適用於(yu) 新材料，如氮化镓、碳化矽材料等。
可有效檢測：外延材料、擴散、離子注入。
載流子濃度測量範圍：1011/cm3~1021/cm3 ；
深度分辨率：低至1nm；
模塊化係統結構：
 - 拓撲型結構；
 - 實時監控腐蝕過程；
 - 適於(yu) 微小樣品及大尺寸的晶圓；
- 全自動化係統；

主要特點： 
CVP21電化學ECV是半導體(ti) 載流子濃度分布完美的解決(jue) 方案：
1.  CVP21應用範圍寬，可以用於(yu) 絕大多數的半導體(ti) 材料。
- IV族半導體(ti) 如：矽(Si)、鍺(Ge)、碳化矽(SiC)等…
- III-V族化合物半導體(ti) 如：砷化镓(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化镓(GaP)等…
- 三元III-V族化合物半導體(ti) 如：鋁镓砷(AlGaAs)、镓銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等…
- 四元III-V族化合物半導體(ti) 如：鋁镓銦磷(AlGaInP)等…
- 氮化物如：氮化镓(GaN)、鋁镓氮(AlGaN)、銦镓氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等…
- II-VI族化合物半導體(ti) 如：氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…
- 其他不常見半導體(ti) 材料(可以聯係我們(men) 進行樣品測量)。
2.  CVP21可測試不同形態的樣品：多層結構的薄膜材料、基底沒有限製(基底導電或絕緣均可)、標準樣品尺寸從(cong) 4*2mm ~ 8英寸晶圓(更小尺寸樣品請預先谘詢我們(men) )。
3.  CVP21擁有很好的分辨率範圍：
* 載流子濃度分辨率範圍從(cong) < 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3
* 深度分辨率範圍從(cong) 1nm ~ 100um (依樣品類型、樣品質量決(jue) 定)
4.  CVP21是一套完整的電化學ECV測量係統：
* 係統可靠性高(儀(yi) 器的電子、機械、光學、液體(ti) 傳(chuan) 動幾個(ge) 主要部分均經特殊設計)
* 免校準的係統(*自校準的電子係統，電纜電容均無須用戶再次校準)
* 易於(yu) 使用(全用戶管理軟件優(you) 化，在實驗室環境或生產(chan) 環境均易於(yu) 使用)
* 照相機鏡頭控製(過程在線由彩色照相機鏡頭控製；每次測量後，鏡頭數據均可取出。)
* 實驗菜單(測量菜單預定義(yi) ，優(you) 先權用戶可以很容易修改或改進測量菜單)
* Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (電化學樣品池自動裝載/卸載/再裝載，優(you) 先權用戶易於(yu) 修改，進行樣品dry-in/dry-out處理。)