WEP CVP21電化學C-V剖麵濃度測量儀(yi) 德國WEP公司的CVP21電化學C-V剖麵濃度測試儀(yi) 可高效、準確的測量半導體(ti) 材料（結構，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與(yu) 材料接觸、腐蝕，從(cong) 而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控製。 電化學ECV剖麵濃度測試儀(yi) 主要用於(yu) 半導體(ti) 材料的研究及開發，其原理是使用電化學電容-電壓法來測量半導體(ti) 材料的摻雜濃度分布。電化學ECV（

開爾文探針（Kelvin Probe）是一種非接觸無損震蕩電容裝置，用於(yu) 測量導體(ti) 材料的功函數（Work Function）或半導體(ti) 、絕緣表麵的表麵勢（Surface Potential）。材料表麵的功函數通常由上層的1-3層原子或分子決(jue) 定，所以開爾文探針是一種的表麵分析技術。主要型號：KP020 （單點開爾文探針），SKP5050（掃描開爾文探針）。

光學薄膜測厚儀(yi) 薄膜表麵或界麵的反射光會(hui) 與(yu) 從(cong) 基底的反射光相幹涉，幹涉的發生與(yu) 膜厚及折光係數等有關(guan) ，因此可通過計算得到薄膜的厚度。光幹涉法是一種無損、且快速的光學薄膜厚度測量技術，我們(men) 的薄膜測量係統采用光幹涉原